Neue RRAM-Technologie

Superspeicher aus Allerweltsmaterial

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Die Rice Universität hat mit Siliciumoxid eine Technologie zur Herstellung von RRAM-Datenspeicher entwickelt. Diese sollen eine bis zu 50 Mal grössere Speicherkapazität als Flash-Speicher aufweisen.

In der Welt der Speichertechnologien wurde ein Durchbruch erzielt: Mit einer neuartigen Siliciumoxid-Technologie sollen nun Datenträger mit sehr hoher Datendichte hergestellt werden können. Die auf Siliciumoxid basierende Speichertechnologie wurde bereits vor fünf Jahren an der Rice Universität entdeckt, wie diese mitteilt. Gemäss dem Chemie-Professor James Tour, der das Forscherteam rund um die neue Technologie anführt, sind die neuartigen Datenträger allen anderen RRAM-Speicher überlegen. "Da unsere Geräte Siliciumoxid nutzen – das am meisten erforschte Material der Erde – haben wir ein gutes Verständnis der zugrundeliegenden Physik und können es ohne Probleme in existierende Produktionsanlagen einbauen."

50 Mal grössere Speicherkapazität als Flashspeicher

Gemäss Rice Universität werden derzeit weltweit verschiedene RRAM-Speicher entwickelt. In ein paar Jahren sollte die neuartige Speicherform die aktuell sehr angesagten Flash-Speicher ersetzen, da sie schneller ist und viel mehr Information in weniger Raum packen kann. Produktionsstätten hätten RRAM-Prototypen angekündigt, die ein Terabyte Daten in Geräten von der Grösse einer Briefmarke speichern können sollen - was einer 50 Mal grösseren Speicherkapazität eines aktuellen Flash-Speichers entspreche soll.

Sehr gut erforschtes Grundmaterial

Das Hauptelement von Rices RRAM ist der nichtleitende Bestandteil Siliciumoxid. Dieser soll gemäss der Universität nicht nur das verbreitetste Material der Welt sondern auch das Grundelement für konventionelle Mikrochips sein. Entsprechend seien Produktionstechnologien, die auf Siliciumoxid basieren, sehr verbreitet und auch leicht zu verstehen. Bis zur Entdeckung einer leitenden Eigenschaft im Siliciumoxid durch das Forschungsteam von Tour 2010 wurde das Material aber nicht als eine Option für die Entwicklung einer RRAM-Technologie betrachtet.

Den Einschätzungen von Professor Tour zufolge hat die an der Rice Universität entwickelte RRAM-Technologie sehr gute Chancen, sich am Markt durchzusetzen: "Unsere Technologie ist die einzige, die die Anforderungen des Marktes befriedigt und dies sowohl vom Standpunkt der Produktion aus als auch hinsichtlich der Leistung," sagt Tour. "Datenträger können bei Raumtemperatur hergestellt werden und sie haben einen sehr tiefen Energieverbrauch."