3-D-V-Nand

Neuer Speicherchip und neue Festplatten von Samsung

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Samsung hat einen neuen Speicherchip und Festplatten angekündigt. Die Modelle sollen besonders effizient sein.

3-D-V-Nand von Samsung. (Quelle: Samsung)
3-D-V-Nand von Samsung. (Quelle: Samsung)

Samsung hat Speicherchips und neue Festplatten der nächsten Generation angekündigt. Auf dem offiziellen Samsung Blog "Samsung Tomorrow" stellte der Hersteller die Produktentwicklungen vor.

Die dritte Generation  des 3-D-V-Nand packt 32 Gigabyte auf einen Speicherchip. Samsung hat gegenüber dem Vorgänger, der im April 2014 erschien, die Speicherkapazität verdoppelt. Damit bewegt sich der Hersteller innerhalb des mooreschen Gesetzes. Dieses sieht eine Verdoppelung der Speicherkapazität alle 12 bis 24 Monate vor.

3-D-V-Nand türmt 48 Schichten an Datenspeicherzellen übereinander. Der auch als Charge Trap Flash (CTF) bekannte Speichertyp hat eine höhere Speicherkapazität als herkömmlichen Speicher.

Samsung verbaut V-NAND in die SSD-Modelle

Für Firmenkunden präsentiert Samsung die 2,5-Zoll PM1633. Die Festplatte hat eine 12 Gigabit/s Serial Attached SCSI (SAS) Schnittstelle eingebaut. Sie liest mit 160'000 und schreibt mit 18'000 Input/Output Operationen pro Sekunde (IOPS). Sie erscheint in vier Versionen mit 480 Gigabyte, 960 Gigabyte, 1,92 Terabyte und 3,84 Terabyte.

Eine schnelle Datenübertragung offeriert die PM1725. Sie liest mit 1'000'000 IOPS und schreibt mit 120'000 IOPS. Sie kommt in zwei Versionen mit 3,2 Terabyte beziehungsweise mit 6,4 Terabyte auf den Markt.

Schliesslich stellt Samsung mit der PM953 einen Nachfolger der SM951 vor. Die Festplatte mit einer NVMe-Schnittstelle ermöglicht die schnelle Datenübertragung mit PCI Express. Die PM953 kommt als 480 Gigabyte, 960 Gigabyte und als 1,92 Terabyte Speicher.

Eine Anfrage bei Samsung, ob die D-V-Nand der dritten Generation bereits in den neuen SSD-Modellen verbaut ist, steht noch aus. Weitere Informationen zu den Chips gibt es hier.

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