Infineon und Micron entwickeln schnelleres DRAM

Die Speicherspezialisten Infenion und Micron entwickeln gemeinsam einen schnelleren Speicherbaustein. Das Klötzchen soll auf den Namen RLDRAM, was soviel heisst wie Reduced Latency DRAM, hören und zunächst Datenraten von bis zu 600 Mbit/s pro Pin zulassen. Die Latenzzeiten, seien im Vergleich zu anderen Architekturen deutlich geringer, genaue Zahlen sind noch nicht bekannt. Zum Einstz kommen sollen die Hochleistungspeicher vor allem in Switches, Routern und anderen Anwendungen die auf sehr schnellen Speicherzugriff angewiesen sind.