Samsung packt 128 Gigabyte auf ein DDR4-Modul

Aus Samsungs Speicherfabriken rollen demnächst die ersten Ladungen von DDR4-Modulen mit einer Kapazität von 128 Gigabyte, wie der Hersteller mitteilt. Die ersten Module werden eine Geschwindigkeit von 2400 Mbit pro Sekunde haben. Samsung nennt sie R-DIMM.

Der Hersteller plant aber sogenannte LR-DIMMs (Load Reduced), die 2667 bis 3200 Mbit pro Sekunde schaffen sollen.

Die verwendeten 8-Gigabit-Dies sitzen in Stapeln zu je vier Dies auf der Platine eines Moduls. Insgesamt 36 solcher Stapel packt Samsung auf die Platine. Mit der Produktion der Dies begann Samsung im Oktober des vergangenen Jahres, wie Golem.de schreibt.

Stromverbrauch halbiert

Samsung setzt die Dies im sogenannten TSV-Verfahren auf die Platinen. TSV steht für Through Silicon Via. Dabei werden die Leitungen, welche die Chips miteinander verbinden, vertikal durch die Speicherchips geführt. Üblich wäre eine Einzelverdrahtung nach aussen. Wire Bonding heisst das.

Dank TSV soll die Leistungsaufnahme eines R-DIMM mit DDR4-2400 und 128 Gigabyte Speicher verglichen mit LR-DIMMs und 64 Gigabyte Speicher ohne TSV nur halb so hoch sein.

Die neuen Module eignen sich laut Golem für Intels Purley-Plattform oder AMDs angekündigte Opteron-Prozessoren mit Zen-Architektur.

Ausser Samsung fertigt auch SK Hynix DDR4-Module im TSV-Verfahren mit 128 Gigabyte Kapazität.