SK Hynix entwickelt 3-D-Flash-Speicher mit 72 Schichten

Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix hat einen "72-Layer 256 Gigabit TLC 3D NAND"-Flash-Speicher entwickelt. Pro Chip soll er eine Speicherkapazität von 32 Gigabyte ermöglichen. Wie das Unternehmen mitteilt, bietet der neue Flash-Chip 20 Prozent mehr Lese- und Schreibgeschwindigkeit gegenüber einem 48-Layer-Chip.

SK Hynix überspringt mit dem neuen Chip eine Generation von Flash-Speichern, schreibt ZDnet. Das Unternehmen produzierte zuvor 3D-NAND-Flash-Chips mit 48 Schichten. Unternehmen wie Toshiba und Samsung boten mit dem 64-Layer 3D NAND bisher den effizienteren Speicherchip. SK Hynix überholt nun seine Rivalen und setzt mit dem 72-Layer-Flash-Chip einen neuen Massstab für die Speicherindustrie, wie ZDnet weiter schreibt.

Serienproduktion für SSDs und Smartphones ab der zweiten Jahreshälfte

Die Herstellung des Chips sei um 30 Prozent effizienter als die Produktion der Vorgängermodelle mit 48 Schichten. Der Hersteller kann eigenen Angaben zufolge 50 Prozent mehr Zellen auf gleicher Grundfläche unterbringen.

SK Hynix will mit dem Chip SSDs und neue Smartphones ausrüsten. Der neue Flash-Speicher wird in der zweiten Hälfte dieses Jahres in die Massenproduktion gehen, wie das Unternehmen mitteilt.