IBM meldet Durchbruch beim Supercomputing

IBM hat heute in Zürich über substantielle Fortschritte im Bereich computerbasierte Simulation bekannt gegeben. Einem Team von Wissenschaftern des IBM Research Laboratorys in Zürich sei es zum ersten Mal gelungen, das komplexe Verhalten von Hafnium Dioxide in Silicon-Transistoren zu steuern („to master“). Hafnium Dioxide sei der Schlüssel für die “High-K Metal Gate”-Technologie, mit der die erste grosse Revolution beim Transistorenbau seit dem Aufkommen von Silicon-Halbleitern eingeläutet werden soll. Das neue Material soll dazu beitragen, Chip-Leistungen weiter zu beschleunigen. IBM will die neue Technologie ab 2008 in ihren Produkten zum Einsatz bringen.