IBM meldet Durchbruch beim Supercomputing
IBM hat heute in Zürich über substantielle Fortschritte im Bereich computerbasierte Simulation bekannt gegeben. Einem Team von Wissenschaftern des IBM Research Laboratorys in Zürich sei es zum ersten Mal gelungen, das komplexe Verhalten von Hafnium Dioxide in Silicon-Transistoren zu steuern („to master“). Hafnium Dioxide sei der Schlüssel für die “High-K Metal Gate”-Technologie, mit der die erste grosse Revolution beim Transistorenbau seit dem Aufkommen von Silicon-Halbleitern eingeläutet werden soll. Das neue Material soll dazu beitragen, Chip-Leistungen weiter zu beschleunigen.
IBM will die neue Technologie ab 2008 in ihren Produkten zum Einsatz bringen.
Digitale Souveränität
Infomaniak gibt Mehrheit der Stimmrechte an Stiftung ab
Uhr
Kapo Zürich warnt
Domain-Betrüger missbrauchen Namen von Cyon
Uhr
Für effizientere Infrastrukturplanung
Jetzt erhält auch das Zuger Strassennetz einen Digital Twin
Uhr
Streit um Bonuszahlungen
Update: Samsung verhindert Streik in letzter Minute
Uhr
Höchster Berg des Sonnensystems
Herausforderung für zukünftige Bergsteigende
Uhr
Umsetzungsbericht zur NCS
Die Schweiz macht Fortschritte bei Cybersicherheit und KI-Abwehr
Uhr
Schweizer Onlineshops prämiert
Das sind die Gewinner der Digital Commerce Awards 2026
Uhr
Cloud-Identitäten
Kriminelle kapern Microsoft Azure Accounts über Passwort-Reset
Uhr
Ronny Peterhans
Universität Zürich ernennt CIO
Uhr
Open-Source-Alternative reicht noch nicht aus
Digitale Souveränität muss warten: Zürich verschiebt M365-Ausstieg
Uhr
