Samsung entwickelt 288-Megabit DRAM-Chip

Samsung hat den ersten 288-Megabit DRAM entwickelt, der auf dem Direct Rambus Format basiert. Zusätzlich hat die Halbleiterabteilung des Computerunternehmens ein 576 Megabyte grosses Rambus In-Line Speichermodul (RIMM) entwickelt, das sechzehn 288-Megabit DRAMs benötigt. Die 288-Megabit DRAMs werden auf der Basis der 0.17 Micron-Technologie produziert.