Samsung enthüllt SSD-Pläne

Der IT-Hersteller Samsung hat auf dem diesjährigen Flash Memory Summit in Santa Clara seine Pläne für die SSD-Sparte vorgestellt. Wie The Register schreibt, stehen vier Neuerungen an:

• Ein 1-Terabit-Chip mit Samsungs V-Nand-Technologie soll die Speicherkapazität der hauseigenen SSDs verdoppeln. So seien ab 2018 Medien mit bis zu 128 Terabyte Speicherplatz möglich.

• Der aktuelle M.2-Formfaktor sei für 1U-Server nicht mehr geeignet. Samsung schlägt deshalb ein neues Format namens Next Generation Small Form Factor (NGSFF) vor. Mit ihm sollen höhere Geschwindigkeiten und grössere Kapazitäten möglich sein. Eine erste Flash-Karte mit 16 Terabyte zeigte das Unternehmen bereits. Sie sei mit 30,5 Millimeter breiter als übliche M.2-Karten, schreibt The Register. Samsung zeigte auf dem Summit ein 1U-Referenzsystem mit 576 Terabyte.

• Die SSD SZ985 mit 800 Gigabyte basiert auf der Z-SSD-Technologie und soll laut Samsung Latenzzeiten von 15 Mikrosekunden beim Lesen von Daten erreichen. Die SSD sei damit um den Faktor 7 schneller als herkömmliche NVMe-Geräte und besonders für Rechenzentren und Big-Data-Lösungen geeignet.

• Die Key-Value-SSD-Technologie soll Daten schneller als klassische Verfahren verarbeiten können. Dies ist laut The Register möglich, indem die SSD ankommende Daten direkt speichert und nicht erst in logische und physikalische Blöcke konvertiert. Auch die Lebensdauer der Geräte solle sich dadurch steigern lassen.

Noch nicht von Samsung angekündigt, laut Computerbase.de aber kurz vor der Vorstellung, stehen zudem die Nachfolger der aktuellen SSD-Modelle 960 Evo und 960 Pro.